这些被广泛接受并在陶瓷电容器行业中使用。
活动区域：指所有左右内电极的总面积MLCC机器交错且重叠，并在两个交错和重叠的内部电极之间填充有效的陶瓷介质。
主动介电：MLCC陶瓷体内的所有交错内部电极和重叠的内部电极之间的陶瓷绝缘介质。
伪像：DPA分析过程在DPA处理之前不存在的任何异常。例如，抛光过程中可能发生的应力缓解裂纹，表面裂纹和电极位移。
带宽（带宽）：MLCC两个末端电极涂层宽度尺寸，从芯片末端电极的末端覆盖陶瓷体的宽度。
屏障层（屏障层）：MLCC端子电极的最外层被镀锡，并且内部的第二个电镀层是镍屏障层，它可以保护焊接过程中熔融锡状态的内部电极。请参阅第4.3节和BME流程示意图。
冷焊接（冷焊）：在焊接过程中，由于不完整的回流焊接，弱转移或零星浸润而引起的不良焊接接头。从表面上，它的特征是暗淡，颗粒状和多孔表面。从内部，冷焊接的特征是针孔过多和可能的残留通量。
电容器元件：带有末端电极的陶瓷芯片机体。
陶瓷体（芯片元件）：为了进行DPA分析，陶瓷体去除末端电极电镀，仅包含内部电极。
裂纹：MLCC内部发生的裂纹或分离。裂缝可能是由制造过程或材料不当引起的，也可能是由DPA处理或环境压力引起的。
分层：在两层陶瓷电介质之间或陶瓷层压板和内部电极的界面之间的分离，或者在陶瓷的单层层中，大约平行于内部电极的平面。
破坏性物理分析（DPA）：进行分段分析以检查对象或设备的内部特征，从而导致所分析对象的部分或全部破坏。对于芯片陶瓷电容器，这可能包括蚀刻，研磨，抛光和微观检查。在某些情况下，它还可能包括对焊接热冲击（RSH），DPA之前的视觉检查和电气测试的抗性。
介电：交织和重叠的内电极之间的介电陶瓷。
介质空隙：真空空隙或在一层介质中的几个空隙的集聚，甚至在某些情况下通过一层。
浸出：由于熔融焊料的作用，芯片电容器的末端金属被侵蚀，末端镀锡融化为锡融化。
MicroCrack：在陶瓷中的一个非常细的裂纹，仅在相对较高的宏伟速度（通常高于1x）时可在间接，暗场或偏振光下可见。实际的微裂纹是由于陶瓷体内的应力或这种力的释放而发生的。
重叠视图：芯片电容器的纵向截面视图，显示交错的重叠的内部电极边缘，端子端线，端子电极镀层层以及陶瓷体和焊接接头，该截面垂直于内部电极层和陶瓷层。
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